onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole

Код товара RS: 178-4627PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FGH60T65SQD-F155
brand-logo
View all in БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247 G03

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

50µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

3813пФ

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
Select packaging type

P.O.A.

onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247 G03

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

50µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

3813пФ

Страна происхождения

China