onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole

Код товара RS: 178-4627Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGH60T65SQD-F155
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247 G03

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

50µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

3813пФ

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBT
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

P.O.A.

onsemi FGH60T65SQD-F155, P-Channel IGBT, 60 A 650 V, 3-Pin TO-247 G03, Through Hole
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 2
1P.O.A.
3P.O.A.
5P.O.A.
7P.O.A.
9P.O.A.
11P.O.A.
13P.O.A.
15P.O.A.
17P.O.A.
19P.O.A.
21P.O.A.
23P.O.A.
25P.O.A.
27P.O.A.
29P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBT
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

60 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±30V

Количество транзисторов

1

Максимальное рассеяние мощности

333 Вт

Тип корпуса

TO-247 G03

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

P

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.87 x 4.82 x 20.82мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Номинальная энергия

50µJ

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Емкость затвора

3813пФ

Страна происхождения

China

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBT
ON Semiconductor FGH60T65SQD-F155 IGBTБренд: onsemi
P.O.A.Each (In a Tube of 30) (ex VAT)