ON Semiconductor FGD3040G2-F085 IGBT
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
41 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±10V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
2500
P.O.A.
2500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
41 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
300 В
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±10V
Максимальное рассеяние мощности
150 Вт
Тип корпуса
DPAK (TO-252)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип канала
N
Число контактов
3
Скорость переключения
1МГц
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
6.73 x 6.22 x 2.39мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
Automotive Ignition IGBT, Fairchild Semiconductor
These EcoSPARK IGBT devices are optimised for driving automotive ignition coils. They have been stress tested and meet the AEC-Q101 standard.
Standards
AEC-Q101
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.