Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
120 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
600 Вт
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 4 | P.O.A. |
5 - 49 | P.O.A. |
50 - 224 | P.O.A. |
225 - 449 | P.O.A. |
450+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiМаксимальный непрерывный ток коллектора
120 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
650 V
Максимальное напряжение затвор-эмиттер
±20V
Максимальное рассеяние мощности
600 Вт
Тип корпуса
TO-3PN
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Тип канала
N
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Размеры
15.8 x 5 x 20.1мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Информация о товаре
IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor
IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor
The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.