onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Код товара RS: 864-8795Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGA60N65SMD
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

120 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)

тг 2 476,38

тг 2 476,38 Each (ex VAT)

onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 476,38
2тг 4 952,76
3тг 7 429,14
4тг 9 905,52
5тг 11 040,90
6тг 13 249,08
7тг 15 457,26
8тг 17 665,44
9тг 19 873,62
10тг 22 081,80
11тг 24 289,98
12тг 26 498,16
13тг 28 706,34
14тг 30 914,52
15тг 33 122,70

тг 2 476,38

тг 2 476,38 Each (ex VAT)

onsemi FGA60N65SMD IGBT, 120 A 650 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 2 476,38
2тг 4 952,76
3тг 7 429,14
4тг 9 905,52
5тг 11 040,90
6тг 13 249,08
7тг 15 457,26
8тг 17 665,44
9тг 19 873,62
10тг 22 081,80
11тг 24 289,98
12тг 26 498,16
13тг 28 706,34
14тг 30 914,52
15тг 33 122,70

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 4тг 2 476,38
5 - 49тг 2 208,18
50 - 224тг 1 805,88
225 - 449тг 1 662,84
450+тг 1 519,80
Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

120 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

650 V

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

600 Вт

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 20.1мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+175 °C

Информация о товаре

IGBT Discretes, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBT
ON Semiconductor FGA20N120FTDTU IGBTБренд: onsemi
тг 1 519,80Each (ex VAT)