onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Код товара RS: 772-9222Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGA25N120ANTDTU
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать

тг 4 452,12

тг 2 226,06 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 452,12
4тг 8 904,24
6тг 13 356,36
8тг 17 808,48
10тг 18 192,90
12тг 21 831,48
14тг 25 470,06
16тг 29 108,64
18тг 32 747,22
20тг 36 385,80
22тг 40 024,38
24тг 43 662,96
26тг 47 301,54
28тг 50 940,12
30тг 54 578,70

тг 4 452,12

тг 2 226,06 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)

onsemi FGA25N120ANTDTU IGBT, 50 A 1200 V, 3-Pin TO-3P, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 2.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 2.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

2

Доступно в кратности 2
2тг 4 452,12
4тг 8 904,24
6тг 13 356,36
8тг 17 808,48
10тг 18 192,90
12тг 21 831,48
14тг 25 470,06
16тг 29 108,64
18тг 32 747,22
20тг 36 385,80
22тг 40 024,38
24тг 43 662,96
26тг 47 301,54
28тг 50 940,12
30тг 54 578,70

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
2 - 8тг 2 226,06тг 4 452,12
10 - 48тг 1 819,29тг 3 638,58
50 - 98тг 1 783,53тг 3 567,06
100 - 448тг 1 497,45тг 2 994,90
450+тг 1 466,16тг 2 932,32
Вас может заинтересовать

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

50 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Максимальное рассеяние мощности

312 Вт

Тип корпуса

TO-3P

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Скорость переключения

1МГц

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

Вас может заинтересовать