onsemi FGA15N120ANTDTU_F109 IGBT, 24 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Код товара RS: 671-5398Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FGA15N120ANTDTU_F109
brand-logo
Просмотреть все в БТИЗ

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

24 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.

тг 1 215,84

тг 1 215,84 Each (ex VAT)

onsemi FGA15N120ANTDTU_F109 IGBT, 24 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 215,84
2тг 2 431,68
3тг 3 647,52
4тг 4 863,36
5тг 6 079,20
6тг 7 295,04
7тг 8 510,88
8тг 9 726,72
9тг 10 942,56
10тг 12 158,40
11тг 13 374,24
12тг 14 590,08
13тг 15 805,92
14тг 17 021,76
15тг 18 237,60

тг 1 215,84

тг 1 215,84 Each (ex VAT)

onsemi FGA15N120ANTDTU_F109 IGBT, 24 A 1200 V, 3-Pin TO-3PN, Through Hole

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 215,84
2тг 2 431,68
3тг 3 647,52
4тг 4 863,36
5тг 6 079,20
6тг 7 295,04
7тг 8 510,88
8тг 9 726,72
9тг 10 942,56
10тг 12 158,40
11тг 13 374,24
12тг 14 590,08
13тг 15 805,92
14тг 17 021,76
15тг 18 237,60

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 24тг 1 215,84
25 - 99тг 969,99
100 - 249тг 804,60
250 - 499тг 773,31
500+тг 715,20

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Максимальный непрерывный ток коллектора

24 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

1200 В

Максимальное напряжение затвор-эмиттер

±20V

Тип корпуса

TO-3PN

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Тип канала

N

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Размеры

15.8 x 5 x 18.9мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Страна происхождения

Malaysia

Информация о товаре

Discrete IGBTs, 1000V and over, Fairchild Semiconductor

IGBT Discretes & Modules, Fairchild Semiconductor

The Insulated Gate Bipolar Transistor or IGBT is a three-terminal power semiconductor device, noted for high efficiency and fast switching. The IGBT combines the simple gate-drive characteristics of the MOSFETs with the high-current and low–saturation-voltage capability of bipolar transistors by combining an isolated gate FET for the control input, and a bipolar power transistor as a switch, in a single device.