onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 350 mA, 600 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY4000CZ

Код товара RS: 671-0857PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDY4000CZ
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА, 600 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω, 700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, -8 В, +12 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 4,5 В, 8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 350 mA, 600 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY4000CZ
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench Dual N/P-Channel MOSFET, 350 mA, 600 mA, 20 V, 6-Pin SC-89-6 FDY4000CZ

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 10.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 10.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

10

Доступно в кратности 10
10P.O.A.
20P.O.A.
30P.O.A.
40P.O.A.
50P.O.A.
60P.O.A.
70P.O.A.
80P.O.A.
90P.O.A.
100P.O.A.
110P.O.A.
120P.O.A.
130P.O.A.
140P.O.A.
150P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N, P

Максимальный непрерывный ток стока

350 мА, 600 мА

Максимальное напряжение сток-исток

20 В

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

SOT-523 (SC-89)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

6

Максимальное сопротивление сток-исток

1,2 Ω, 700 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

0.6V

Максимальное рассеяние мощности

625 мВт

Конфигурация транзистора

Изолированный

Максимальное напряжение затвор-исток

-12 В, -8 В, +12 В, +8 В

Типичный заряд затвора при Vgs

1 нКл при 4,5 В, 8 нКл при 4,5 В

Ширина

1.2мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

2

Длина

1.6мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.5мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Информация о товаре

PowerTrench® Dual N/P-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

PowerTrench® MOSFETs are optimised power switches that offer increase of system efficiency and power density. They combine small gate charge(Qg), small reverse recovery charge(Qrr) and soft reverse recovery body diode, which contributes to fast switching of synchronous rectification in AC/DC power supplies.
The latest PowerTrench® MOSFETs, employ shielded-gate structure that provides charge balance. By utilizing this advanced technology, the FOM (Figure of Merit) of these devices is significant lower than that of previous generation.
Soft body diode performance of the PowerTrench® MOSFETs is able to eliminate snubber circuit or replace a higher voltage rating MOSFET.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.