N-Channel MOSFET, 15 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS8817NZ

Код товара RS: 671-0700Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDS8817NZ
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 497,45

тг 299,49 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 15 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS8817NZ
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 497,45
10тг 2 994,90
15тг 4 492,35
20тг 5 989,80
25тг 5 811,00
30тг 6 973,20
35тг 8 135,40
40тг 9 297,60
45тг 10 459,80
50тг 11 622,00
55тг 12 784,20
60тг 13 946,40
65тг 15 108,60
70тг 16 270,80
75тг 17 433,00

тг 1 497,45

тг 299,49 Each (In a Pack of 5) (ex VAT)

N-Channel MOSFET, 15 A, 30 V, 8-Pin SOIC onsemi FDS8817NZ

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 5.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 5.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

5

Доступно в кратности 5
5тг 1 497,45
10тг 2 994,90
15тг 4 492,35
20тг 5 989,80
25тг 5 811,00
30тг 6 973,20
35тг 8 135,40
40тг 9 297,60
45тг 10 459,80
50тг 11 622,00
55тг 12 784,20
60тг 13 946,40
65тг 15 108,60
70тг 16 270,80
75тг 17 433,00

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
5 - 20тг 299,49тг 1 497,45
25 - 95тг 232,44тг 1 162,20
100 - 245тг 187,74тг 938,70
250 - 495тг 183,27тг 916,35
500+тг 169,86тг 849,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

15 A

Максимальное напряжение сток-исток

30 В

Тип корпуса

SOIC

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

7 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

1V

Максимальное рассеяние мощности

2,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Типичный заряд затвора при Vgs

32 нКл при 10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

5мм

Ширина

4мм

Материал транзистора

Кремний

Серия

PowerTrench

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.5мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, 10A to 19.9A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.