ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET

Код товара RS: 739-4860Бренд: onsemiПарт-номер производителя: FDP22N50N
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

UniFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

220 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

312,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (ex VAT)

ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 023,63
2тг 2 047,26
3тг 3 070,89
4тг 4 094,52
5тг 5 118,15
6тг 6 141,78
7тг 7 165,41
8тг 8 189,04
9тг 9 212,67
10тг 8 358,90
11тг 9 194,79
12тг 10 030,68
13тг 10 866,57
14тг 11 702,46
15тг 12 538,35

тг 1 023,63

тг 1 023,63 Each (ex VAT)

ON Semiconductor FDP22N50N MOSFET

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 1.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 1.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 1
1тг 1 023,63
2тг 2 047,26
3тг 3 070,89
4тг 4 094,52
5тг 5 118,15
6тг 6 141,78
7тг 7 165,41
8тг 8 189,04
9тг 9 212,67
10тг 8 358,90
11тг 9 194,79
12тг 10 030,68
13тг 10 866,57
14тг 11 702,46
15тг 12 538,35

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицы
1 - 9тг 1 023,63
10 - 49тг 835,89
50 - 99тг 818,01
100 - 249тг 692,85
250+тг 674,97

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

22 A

Максимальное напряжение сток-исток

500 В

Серия

UniFET

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

220 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

3V

Максимальное рассеяние мощности

312,5 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-30 В, +30 В

Типичный заряд затвора при Vgs

49 нКл при 10 В

Ширина

4.5мм

Материал транзистора

Кремний

Количество элементов на ИС

1

Длина

9.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

9.2мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Страна происхождения

China

Информация о товаре

UniFET™ N-Channel MOSFET, Fairchild Semiconductor

UniFET™ MOSFET is Fairchild Semiconductor's high voltage MOSFET family. It has the smallest on-state resistance among the planar MOSFETs, and also provides superior switching performance and higher avalanche energy strength. In addition, the internal gate-source ESD diode allows UniFET-II™ MOSFET to withstand over 2000V HBM surge stress.
UniFET™ MOSFETs are suitable for switching power converter applications, such as power factor correction (PFC), flat panel display (FPD) TV power, ATX (Advanced Technology eXtended) and electronic lamp ballasts.

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.