ON Semiconductor FDP090N10 MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
89 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 862,71
тг 862,71 Each (ex VAT)
Стандартная упаковка
1
тг 862,71
тг 862,71 Each (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
1
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 1 - 9 | тг 862,71 |
| 10 - 99 | тг 701,79 |
| 100 - 199 | тг 594,51 |
| 200 - 399 | тг 581,10 |
| 400+ | тг 567,69 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
75 A
Максимальное напряжение сток-исток
100 В
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
9 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
208 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Типичный заряд затвора при Vgs
89 нКл при 10 В
Ширина
4.83мм
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
10.67мм
Максимальная рабочая температура
+175 °C
Высота
16.51мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.