onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 130 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86350
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.
тг 1 975,74
тг 987,87 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Стандартная упаковка
2
тг 1 975,74
тг 987,87 Each (In a Pack of 2) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
2
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 2 - 18 | тг 987,87 | тг 1 975,74 |
| 20 - 198 | тг 822,48 | тг 1 644,96 |
| 200 - 998 | тг 759,90 | тг 1 519,80 |
| 1000 - 2998 | тг 706,26 | тг 1 412,52 |
| 3000+ | тг 657,09 | тг 1 314,18 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Максимальный непрерывный ток стока
130 A
Максимальное напряжение сток-исток
80 V
Серия
PowerTrench
Тип корпуса
Power 56
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
8
Максимальное сопротивление сток-исток
3,8 мΩ
Номер канала
Поднятие
Минимальное пороговое напряжение включения
2.5V
Максимальное рассеяние мощности
156 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
5.1мм
Типичный заряд затвора при Vgs
110 нКл при 10 В
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
6.25мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Высота
1.05мм
Информация о товаре
PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semi
ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.