onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 76 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86300DC

Код товара RS: 772-9206PБренд: onsemiПарт-номер производителя: FDMS86300DC
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.85мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 76 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86300DC
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 3.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 3.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

onsemi PowerTrench N-Channel MOSFET, 76 A, 80 V, 8-Pin PQFN8 FDMS86300DC

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 3.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 3.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

3

Доступно в кратности 3
3P.O.A.
6P.O.A.
9P.O.A.
12P.O.A.
15P.O.A.
18P.O.A.
21P.O.A.
24P.O.A.
27P.O.A.
30P.O.A.
33P.O.A.
36P.O.A.
39P.O.A.
42P.O.A.
45P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Максимальный непрерывный ток стока

76 A

Максимальное напряжение сток-исток

80 V

Серия

PowerTrench

Тип корпуса

Power 56

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

8

Максимальное сопротивление сток-исток

5 мΩ

Номер канала

Поднятие

Минимальное пороговое напряжение включения

2.5V

Максимальное рассеяние мощности

125 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-20 В, +20 В

Количество элементов на ИС

1

Длина

5.1мм

Типичный заряд затвора при Vgs

72 нКл при 10 В

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Ширина

5.85мм

Материал транзистора

Кремний

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

1.05мм

Информация о товаре

PowerTrench® N-Channel MOSFET, over 60A, Fairchild Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semi

ON Semi offers a substantial portfolio of MOSFET devices that includes high-voltage (>250V) and low-voltage (<250V) types. The advanced silicon technology provides smaller die sizes, which it is incorporated into multiple industry-standard and thermally-enhanced packages.
ON Semi MOSFETs provide superior design reliability from reduced voltage spikes and overshoot, to lower junction capacitance and reverse recovery charge, to elimination of additional external components to keep systems up and running longer.