onsemi Digital Transistor N-Channel Through Hole TO-3P, 3-Pin
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
312W
Полярность транзистора
N-канальный
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5 mm
Длина
16.2мм
Материал каски/сварочной маски
18.9мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
UniFETTM MOSFET
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
30
P.O.A.
Each (In a Tube of 30) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
30
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-3P
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
312W
Полярность транзистора
N-канальный
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
5 mm
Длина
16.2мм
Материал каски/сварочной маски
18.9мм
Стандарты/одобрения
RoHS
Серия
UniFETTM MOSFET
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China