Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1210
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5.5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
100W
Максимальный пиковый импульсный ток
3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
1.2 x 1 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
1.2мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Сложная матрица
Минимальное пробивное напряжение
6V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN1210
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5.5V
Число контактов
6
Рассеяние пиковой импульсной мощности
100W
Максимальный пиковый импульсный ток
3A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
4
Минимальная рабочая температура
-40 °C
Размеры
1.2 x 1 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Длина
1.2мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Информация о товаре