ON Semiconductor ESDM3051N2T5G Антистатический защитный диод

Brand

Тип направления

Двунаправленный

Конфигурация диода

Одинарный

Максимальное напряжение фиксации

6V

Минимальное пробивное напряжение

5.1V

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

X2DFN

Максимальное обратное напряжение стабилизации

5V

Число контактов

2

Максимальный пиковый импульсный ток

9.9A

Защита от электрических разрядов

Да

Количество элементов на ИС

1

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Размеры

1 x 0.6 x 0.35мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Высота

0.35мм

Ширина

0.6мм

Испытательный ток

1mA

Максимальный обратный ток утечки

100нА

Емкость

21пФ

Длина

1мм