Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Тип продукции
Антистатический защитный диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
4V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
3.3V
Число контактов
10
Напряжение ограничения (VC)
11.4V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
16A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
125°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1 mm
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Длина
2.5мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Тип продукции
Антистатический защитный диод
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
4V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
3.3V
Число контактов
10
Напряжение ограничения (VC)
11.4V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
16A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
4
Максимальная рабочая температура
125°C
Стандарты/одобрения
Нет
Ширина
1 mm
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Длина
2.5мм
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
