onsemi ESD8011MUG, Bi-Directional ESD Protection Diode, 2-Pin X3-DFN0201
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
19V
Минимальное пробивное напряжение
7.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X3-DFN0201
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
0.66 x 0.36 x 0.28мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Емкость
0.2пФ
Длина
0.66мм
Высота
0.28мм
Ширина
0.36мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре
ESD Protectors, ON Semiconductor
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Купить большой партией
| Количество | Цена единицы |
|---|---|
| 50 - 50 | P.O.A. |
| 100 - 450 | P.O.A. |
| 500 - 950 | P.O.A. |
| 1000 - 1950 | P.O.A. |
| 2000+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
19V
Минимальное пробивное напряжение
7.3V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X3-DFN0201
Число контактов
2
Максимальный пиковый импульсный ток
16A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
0.66 x 0.36 x 0.28мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Емкость
0.2пФ
Длина
0.66мм
Высота
0.28мм
Ширина
0.36мм
Испытательный ток
1mA
Информация о товаре