Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
13.7V
Минимальное пробивное напряжение
4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
8A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Рабочее напряжение
3.3V
Емкость
0.55пФ
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Transient Voltage Suppressor Diodes for ESD Protection, ESD Series
Designed to protect voltage sensitive components from ESD (Electrostatic Discharge). Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Однонаправленный
Конфигурация диода
Общий анод
Максимальное напряжение фиксации
13.7V
Минимальное пробивное напряжение
4V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
8A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Рабочее напряжение
3.3V
Емкость
0.55пФ
Длина
2.5мм
Высота
0.5мм
Ширина
1мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Transient Voltage Suppressor Diodes for ESD Protection, ESD Series
Designed to protect voltage sensitive components from ESD (Electrostatic Discharge). Excellent clamping capability, low leakage, and fast response time provide best in class protection on designs that are exposed to ESD.
