Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Антистатическая защитная матрица
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
5.5V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
5V
Число контактов
10
Напряжение ограничения (VC)
10V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
1A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
5
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
1 mm
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Длина
2.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
1
P.O.A.
Информация о наличии не успела загрузиться
1
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип продукции
Антистатическая защитная матрица
Тип направления
Однонаправленный
Минимальное пробивное напряжение (Vbr)
5.5V
Тип монтажа
Поверхность
Корпус
UDFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации (Vwm)
5V
Число контактов
10
Напряжение ограничения (VC)
10V
Минимальная рабочая температура
-55°C
Испытательный ток (It)
1mA
Максимальный пиковый импульсный ток (Ippm)
1A
Защита от ЭСР
Да
Количество элементов на ИС
5
Максимальная рабочая температура
125°C
Ширина
1 mm
Материал каски/сварочной маски
0.5мм
Длина
2.5мм
Стандарты/одобрения
Нет
Максимальный обратный ток утечки
1μA
Автомобильный стандарт
AEC-Q101
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
