Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Испытательный ток
1mA
Ширина
1мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Высота
0.5мм
Длина
2.5мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре
Low Capacitance ESD Protection Array
Transient Voltage Suppressors, ON Semiconductor
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiКонфигурация диода
Сложная матрица
Тип направления
Однонаправленный
Максимальное напряжение фиксации
10V
Минимальное пробивное напряжение
5.5V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
U-DFN2510
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
10
Максимальный пиковый импульсный ток
1A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
5
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
2.5 x 1 x 0.5мм
Максимальная рабочая температура
+125 °C
Испытательный ток
1mA
Ширина
1мм
Максимальный обратный ток утечки
1мкА
Высота
0.5мм
Длина
2.5мм
Страна происхождения
Malaysia
Информация о товаре