onsemi ESD5581N2T5G, Bi-Directional TVS Diode, 250mW, 2-Pin X2DFN
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
12V
Минимальное пробивное напряжение
5.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X2DFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
250мВт
Максимальный пиковый импульсный ток
6A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
0.66 x 0.36 x 0.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.28мм
Ширина
0.36мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Рабочее напряжение
5V
Емкость
10пФ
Длина
0.66мм
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип направления
Двунаправленный
Конфигурация диода
Одинарный
Максимальное напряжение фиксации
12V
Минимальное пробивное напряжение
5.2V
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
X2DFN
Максимальное обратное напряжение стабилизации
5V
Число контактов
2
Рассеяние пиковой импульсной мощности
250мВт
Максимальный пиковый импульсный ток
6A
Защита от электрических разрядов
Да
Количество элементов на ИС
1
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
0.66 x 0.36 x 0.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
0.28мм
Ширина
0.36мм
Испытательный ток
1mA
Максимальный обратный ток утечки
100нА
Рабочее напряжение
5V
Емкость
10пФ
Длина
0.66мм
Страна происхождения
China