Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
50 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
1
P.O.A.
1
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
1 - 9 | P.O.A. |
10 - 49 | P.O.A. |
50 - 99 | P.O.A. |
100 - 249 | P.O.A. |
250+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
10 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
60 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
2 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
50 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
9.28 x 10.28 x 4.82мм
Информация о товаре
NPN Power Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.