JFET Dual N-Ch 25V 20 to 40mA 40mS CPH6

Код товара RS: 791-9403Бренд: onsemiПарт-номер производителя: CPH6904-TL-E
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

20 to 40mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-25V

Конфигурация

Двойной

Конфигурация транзистора

Общий источник

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CPH

Число контактов

6

Емкость сток-затвор

6пФ

Емкость исток-затвор

2.3пФ

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.6мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 2 458,50

тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

JFET Dual N-Ch 25V 20 to 40mA 40mS CPH6
Select packaging type

тг 2 458,50

тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)

JFET Dual N-Ch 25V 20 to 40mA 40mS CPH6
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
10 - 10тг 245,85тг 2 458,50
20 - 40тг 192,21тг 1 922,10
50 - 90тг 169,86тг 1 698,60
100 - 190тг 151,98тг 1 519,80
200+тг 129,63тг 1 296,30

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

20 to 40mA

Максимальное напряжение сток-исток

25 В

Максимальное напряжение сток-затвор

-25V

Конфигурация

Двойной

Конфигурация транзистора

Общий источник

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

CPH

Число контактов

6

Емкость сток-затвор

6пФ

Емкость исток-затвор

2.3пФ

Размеры

2.9 x 1.6 x 0.9мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.9мм

Ширина

1.6мм

Информация о товаре

N-channel JFET, ON Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.