Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация
Двойной
Конфигурация транзистора
Общий источник
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
6
Емкость сток-затвор
6пФ
Емкость исток-затвор
2.3пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.
тг 2 458,50
тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
тг 2 458,50
тг 245,85 Each (In a Pack of 10) (ex VAT)
Стандартная упаковка
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
---|---|---|
10 - 10 | тг 245,85 | тг 2 458,50 |
20 - 40 | тг 192,21 | тг 1 922,10 |
50 - 90 | тг 169,86 | тг 1 698,60 |
100 - 190 | тг 151,98 | тг 1 519,80 |
200+ | тг 129,63 | тг 1 296,30 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
N
Запирающий ток сток-исток Idss
20 to 40mA
Максимальное напряжение сток-исток
25 В
Максимальное напряжение сток-затвор
-25V
Конфигурация
Двойной
Конфигурация транзистора
Общий источник
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Тип корпуса
CPH
Число контактов
6
Емкость сток-затвор
6пФ
Емкость исток-затвор
2.3пФ
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
2.9мм
Высота
0.9мм
Ширина
1.6мм
Информация о товаре
N-channel JFET, ON Semiconductor
JFET Transistors
A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.