P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W

Код товара RS: 920-9773Бренд: onsemiПарт-номер производителя: CPH3348-TL-W
brand-logo
Просмотреть все в МОП-транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

CPH3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

215 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.9мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

P.O.A.

P-Channel MOSFET, 3 A, 12 V, 3-Pin CPH3 onsemi CPH3348-TL-W

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

1

Доступно в кратности 25
1P.O.A.
26P.O.A.
51P.O.A.
76P.O.A.
101P.O.A.
126P.O.A.
151P.O.A.
176P.O.A.
201P.O.A.
226P.O.A.
251P.O.A.
276P.O.A.
301P.O.A.
326P.O.A.
351P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

P

Максимальный непрерывный ток стока

3 A

Максимальное напряжение сток-исток

12 В

Тип корпуса

CPH3

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Максимальное сопротивление сток-исток

215 мΩ

Номер канала

Поднятие

Максимальное пороговое напряжение включения

1.4V

Минимальное пороговое напряжение включения

0.4V

Максимальное рассеяние мощности

1 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение затвор-исток

-10 В, +10 В

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Типичный заряд затвора при Vgs

5,6 нКл при 4,5 В

Ширина

1.6мм

Материал транзистора

Кремний

Прямое напряжение диода

1.2V

Высота

0.9мм

Информация о товаре

P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor

MOSFET Transistors, ON Semiconductor