Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.4 V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
3000
P.O.A.
3000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
CPH
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
900 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
120 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Максимальная рабочая частота
120 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
2.9 x 1.6 x 0.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
0.4 V
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.