ON Semiconductor CPH3116-TL-E Транзистор

Код товара RS: 145-4110Бренд: onsemiПарт-номер производителя: CPH3116-TL-E
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-50V

Корпус

CPH

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

-50V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

900mW

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

200

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

-5V

Максимальная частота перехода (ft)

1MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

2.9мм

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

CPH3116

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor CPH3116-TL-E Транзистор

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor CPH3116-TL-E Транзистор

Информация о наличии не успела загрузиться

1

Доступно в кратности 3000
1P.O.A.
3001P.O.A.
6001P.O.A.
9001P.O.A.
12001P.O.A.
15001P.O.A.
18001P.O.A.
21001P.O.A.
24001P.O.A.
27001P.O.A.
30001P.O.A.
33001P.O.A.
36001P.O.A.
39001P.O.A.
42001P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Транзистор

Максимальный постоянный ток коллектора (Idc)

-1A

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

-50V

Корпус

CPH

Тип монтажа

Поверхность

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

-50V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

900mW

Полярность транзистора

PnP

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

200

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

-5V

Максимальная частота перехода (ft)

1MHz

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Длина

2.9мм

Материал каски/сварочной маски

0.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

CPH3116

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

Japan

Информация о товаре

General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.