onsemi BUB323ZT4G NPN Digital Transistor, 6 V, 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)

Код товара RS: 186-7373Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BUB323ZT4G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

6 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Число контактов

2 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

onsemi BUB323ZT4G NPN Digital Transistor, 6 V, 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

P.O.A.

Each (On a Reel of 800) (ex VAT)

onsemi BUB323ZT4G NPN Digital Transistor, 6 V, 2 + Tab-Pin D2PAK (TO-263)

Информация о наличии не успела загрузиться

800

Доступно в кратности 800
800P.O.A.
1600P.O.A.
2400P.O.A.
3200P.O.A.
4000P.O.A.
4800P.O.A.
5600P.O.A.
6400P.O.A.
7200P.O.A.
8000P.O.A.
8800P.O.A.
9600P.O.A.
10400P.O.A.
11200P.O.A.
12000P.O.A.

Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

6 В

Тип корпуса

D2PAK (TO-263)

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное рассеяние мощности

150 Вт

Конфигурация транзистора

Одинарный

Число контактов

2 + Tab

Количество элементов на ИС

1

Размеры

10.29 x 9.65 x 4.83мм

Максимальная рабочая температура

+175 °C