ON Semiconductor BSS84LT1G MOSFET
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре
P-Channel Power MOSFET, 30V to 500V, ON Semiconductor
MOSFET Transistors, ON Semiconductor
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Стандартная упаковка
100
тг 3 129,00
тг 31,29 Each (In a Pack of 100) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
100
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 100 - 100 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
| 200 - 400 | тг 31,29 | тг 3 129,00 |
| 500 - 900 | тг 22,35 | тг 2 235,00 |
| 1000 - 1900 | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
| 2000+ | тг 17,88 | тг 1 788,00 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип канала
P
Максимальный непрерывный ток стока
130 мА
Максимальное напряжение сток-исток
50 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Число контактов
3
Максимальное сопротивление сток-исток
10 Ω
Номер канала
Поднятие
Максимальное пороговое напряжение включения
2V
Максимальное рассеяние мощности
225 мВт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение затвор-исток
-20 В, +20 В
Материал транзистора
Кремний
Количество элементов на ИС
1
Длина
2.9мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Ширина
1.3мм
Высота
0.94мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Информация о товаре