Transistor, Fairchild, BSR58

Код товара RS: 807-5201PБренд: onsemiПарт-номер производителя: BSR58
brand-logo
Просмотреть все в ПТУП

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

0.4V

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-40 V

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

8 to 80 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.97мм

Длина

2.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BSR58

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Просмотреть все в ПТУП

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, BSR58
Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, BSR58

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Производственная упаковка (Катушка )

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Подтип

JFET (Полевой транзистор с обратным затвором)

Тип канала

Тип N

Максимальное напряжение сток-исток (Vds)

0.4V

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхность

Корпус

SOT-23

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

250mW

Максимальное напряжение затвор-исток (Vgs)

-40 V

Число контактов

3

Минимальная рабочая температура

-55°C

Ток между истоком и стоком (Ids)

8 to 80 mA

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

1.3 mm

Материал каски/сварочной маски

0.97мм

Длина

2.9мм

Стандарты/одобрения

Нет

Серия

BSR58

Автомобильный стандарт

Нет

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.