Transistor, Fairchild, BSR58

Код товара RS: 807-5201Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSR58
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

8 to 80mA

Максимальное напряжение сток-исток

0,4 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.97мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.97мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 49,17

Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, BSR58
Select packaging type

тг 49,17

Each (In a Pack of 100) (ex VAT)

Transistor, Fairchild, BSR58
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
100 - 400тг 49,17тг 4 917,00
500 - 900тг 44,70тг 4 470,00
1000 - 4900тг 31,29тг 3 129,00
5000 - 9900тг 26,82тг 2 682,00
10000+тг 22,35тг 2 235,00

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип канала

N

Запирающий ток сток-исток Idss

8 to 80mA

Максимальное напряжение сток-исток

0,4 В

Максимальное напряжение затвор-исток

-40 В

Максимальное напряжение сток-затвор

40V

Конфигурация транзистора

Одинарный

Конфигурация

Одиночный

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Тип корпуса

SOT-23

Число контактов

3

Размеры

2.9 x 1.3 x 0.97мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.9мм

Высота

0.97мм

Ширина

1.3мм

Информация о товаре

N-channel JFET, Fairchild Semiconductor

JFET Transistors

A range of JFET (junction field-effect transistor) and HEMT/HFET (high-electron-mobility transistor/ hetero-junction FET) discrete semiconductor devices.