onsemi BSP52T1G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 4-Pin SOT-223

Код товара RS: 178-7525Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSP52T1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Длина

6.5мм

Высота

1.57мм

Ширина

3.5мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.57мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi BSP52T1G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 4-Pin SOT-223

P.O.A.

onsemi BSP52T1G NPN Darlington Transistor, 1 A 80 V HFE:2000, 4-Pin SOT-223
Информация о наличии не успела загрузиться

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

4

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

2000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Длина

6.5мм

Высота

1.57мм

Ширина

3.5мм

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.57мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C