ON Semiconductor BSP52T1G Пара Дарлингтона

Код товара RS: 463-117Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BSP52T1G
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.57мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.57мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BSP52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

тг 3 240,75

тг 129,63 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

ON Semiconductor BSP52T1G Пара Дарлингтона
Select packaging type

тг 3 240,75

тг 129,63 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

ON Semiconductor BSP52T1G Пара Дарлингтона

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 129,63тг 3 240,75
125 - 225тг 75,99тг 1 899,75
250 - 475тг 75,99тг 1 899,75
500 - 1225тг 75,99тг 1 899,75
1250+тг 53,64тг 1 341,00
Вас может заинтересовать
Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BSP52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный непрерывный ток коллектора

1 A

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

80 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Тип корпуса

SOT-223

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3 + Tab

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

1000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,9 В

Максимальное напряжение коллектор-база

90 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1,3 В

Минимальная рабочая температура

-65 °C

Высота

1.57мм

Размеры

6.5 x 3.5 x 1.57мм

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

6.5мм

Ширина

3.5мм

Информация о товаре

NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor

Standards

Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.

Вас может заинтересовать
Nexperia BSP50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BSP52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST50,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)
Nexperia BST52,115 Пара Дарлингтона
P.O.A.Each (On a Reel of 1000) (ex VAT)