Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-220
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
80V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.53мм
Материал каски/сварочной маски
9.28мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BDX53B
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
50
P.O.A.
Each (In a Tube of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-220
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
80V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
65W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
750
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
10.53мм
Материал каски/сварочной маски
9.28мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BDX53B
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
