ON Semiconductor BDW94CFTU Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-12 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-2 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100 μA, -1 mA
Высота
15.95мм
Ширина
4.5мм
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Размеры
9.9 x 4.5 x 15.95мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
9.9мм
Информация о товаре
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный непрерывный ток коллектора
-12 А
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Тип корпуса
TO-220F
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
100
Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер
-2,5 В
Максимальное напряжение коллектор-база
-100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
-2 В
Максимальный запирающий ток коллектора
-100 μA, -1 mA
Высота
15.95мм
Ширина
4.5мм
Максимальное рассеяние мощности
80 Вт
Размеры
9.9 x 4.5 x 15.95мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
9.9мм
Информация о товаре
Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.