ON Semiconductor BDW42G Пара Дарлингтона
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
9.28мм
Ширина
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
50
P.O.A.
50
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный непрерывный ток коллектора
15 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Тип корпуса
TO-220AB
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Число контактов
3
Конфигурация транзистора
Одинарный
Количество элементов на ИС
1
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
250
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер
3 В
Максимальный запирающий ток коллектора
1mA
Высота
9.28мм
Ширина
4.82мм
Минимальная рабочая температура
-55 °C
Размеры
10.28 x 4.82 x 9.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Длина
10.28мм
Информация о товаре
NPN Darlington Transistors, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.