onsemi Digital Transistor, 60 V dc NPN Through Hole TO-225, 3-Pin
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-225
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
15W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
7.8мм
Материал каски/сварочной маски
11.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BD787
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Box of 500) (ex VAT)
500
P.O.A.
Each (In a Box of 500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
500
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-225
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
60V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
80V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
15W
Полярность транзистора
NPN
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
6V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Длина
7.8мм
Материал каски/сварочной маски
11.1мм
Стандарты/одобрения
Нет
Серия
BD787
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China