Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V dc
Тип корпуса
TO-225
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
7.8 x 3 x 11.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
P.O.A.
Each (In a Box of 500) (ex VAT)
500
P.O.A.
Each (In a Box of 500) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
500
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 V dc
Тип корпуса
TO-225
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
36 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
7.8 x 3 x 11.1мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China