Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
115 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация
Одиночный
Размеры
10.53 x 4.83 x 9.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.28мм
Страна происхождения
China
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
25
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
25
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
115 V
Тип корпуса
TO-220
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
40 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
10
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 V dc
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Конфигурация
Одиночный
Размеры
10.53 x 4.83 x 9.28мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Высота
9.28мм
Страна происхождения
China