onsemi BD239CTU NPN Transistor, 2 A, 115 V, 3-Pin TO-220

Код товара RS: 807-5169Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BD239CTU
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

115 V

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.7мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

тг 4 693,50

тг 187,74 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BD239CTU NPN Transistor, 2 A, 115 V, 3-Pin TO-220
Select packaging type

тг 4 693,50

тг 187,74 Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BD239CTU NPN Transistor, 2 A, 115 V, 3-Pin TO-220
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

КоличествоЦена единицыPer Упаковка
25 - 100тг 187,74тг 4 693,50
125 - 225тг 125,16тг 3 129,00
250 - 1225тг 125,16тг 3 129,00
1250 - 2475тг 84,93тг 2 123,25
2500+тг 80,46тг 2 011,50

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

115 V

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.7мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.