ON Semiconductor BD239CTU Транзистор

Код товара RS: 178-4782Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BD239CTU
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

115 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.7мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BD239CTU Транзистор

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

P.O.A.

ON Semiconductor BD239CTU Транзистор
Информация о наличии не успела загрузиться

50

Доступно в кратности 50
50P.O.A.
100P.O.A.
150P.O.A.
200P.O.A.
250P.O.A.
300P.O.A.
350P.O.A.
400P.O.A.
450P.O.A.
500P.O.A.
550P.O.A.
600P.O.A.
650P.O.A.
700P.O.A.
750P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

NPN

Максимальный пост. ток коллектора

2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

115 В

Тип корпуса

TO-220

Тип монтажа

Монтаж на плату в отверстия

Максимальное рассеяние мощности

30 Вт

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

40

Конфигурация транзистора

Одинарный

Максимальное напряжение коллектор-база

100 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

5 В

Число контактов

3

Количество элементов на ИС

1

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Размеры

9.9 x 4.5 x 15.7мм

Информация о товаре

Power NPN Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.