onsemi BD237G Digital Transistor, 80 V NPN Through Hole TO-225, 3-Pin

Код товара RS: 186-8062Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BD237G
brand-logo
Просмотреть все в Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Корпус

TO-225

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3 mm

Длина

7.8мм

Материал каски/сварочной маски

11.1мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BD237G Digital Transistor, 80 V NPN Through Hole TO-225, 3-Pin
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

P.O.A.

Each (In a Pack of 25) (ex VAT)

onsemi BD237G Digital Transistor, 80 V NPN Through Hole TO-225, 3-Pin

Информация о наличии не успела загрузиться

Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 25.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 25.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

25

Доступно в кратности 25
25P.O.A.
50P.O.A.
75P.O.A.
100P.O.A.
125P.O.A.
150P.O.A.
175P.O.A.
200P.O.A.
225P.O.A.
250P.O.A.
275P.O.A.
300P.O.A.
325P.O.A.
350P.O.A.
375P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип продукции

Цифровой транзистор

Корпус

TO-225

Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)

80V

Тип монтажа

Сквозное отверстие

Конфигурация транзистора

Одиночный

Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)

100V

Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)

25W

Полярность транзистора

NPN

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)

40

Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)

5V

Число контактов

3

Максимальная рабочая температура

150°C

Ширина

3 mm

Длина

7.8мм

Материал каски/сварочной маски

11.1мм

Стандарты/одобрения

Нет

Автомобильный стандарт

Нет

Страна происхождения

China