ON Semiconductor Транзистор
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
8 x 3.25 x 11мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Power PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
60
P.O.A.
60
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
40
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
8 x 3.25 x 11мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
Power PNP Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.