Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
8.3 x 3.45 x 11.2мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
20
P.O.A.
20
Купить большой партией
Количество | Цена единицы |
---|---|
20 - 40 | P.O.A. |
60 - 160 | P.O.A. |
180 - 460 | P.O.A. |
480 - 940 | P.O.A. |
960+ | P.O.A. |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1,5 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
TO-126
Тип монтажа
Монтаж на плату в отверстия
Максимальное рассеяние мощности
12,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
8.3 x 3.45 x 11.2мм
Информация о товаре
Small Signal NPN Transistors, 60V to 100V, Fairchild Semiconductor
Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor
Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.