Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-225
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-45V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
45V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
12.5W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
3 mm
Длина
7.8мм
Материал каски/сварочной маски
27.73мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
Информация о наличии не успела загрузиться
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Стандартная упаковка
25
P.O.A.
Each (In a Pack of 25) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
25
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип продукции
Цифровой транзистор
Корпус
TO-225
Максимальное напряжение коллектор-эмиттер (Vceo)
-45V
Тип монтажа
Сквозное отверстие
Конфигурация транзистора
Одиночный
Максимальное напряжение коллектор-база (VCBO)
45V
Максимально допустимая мощность рассеяния (Pd)
12.5W
Полярность транзистора
PnP
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току (hFE)
40
Максимальное напряжение эмиттер-база (VEBO)
5V
Число контактов
3
Максимальная рабочая температура
150°C
Ширина
3 mm
Длина
7.8мм
Материал каски/сварочной маски
27.73мм
Стандарты/одобрения
Нет
Автомобильный стандарт
Нет
Страна происхождения
China
