ON Semiconductor BCV26E6327 Пара Дарлингтона

Код товара RS: 671-1122Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BCV26
brand-logo

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

ON Semiconductor BCV26E6327 Пара Дарлингтона
Select packaging type

P.O.A.

ON Semiconductor BCV26E6327 Пара Дарлингтона
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Купить большой партией

КоличествоЦена единицы
25 - 75P.O.A.
100 - 225P.O.A.
250 - 475P.O.A.
500 - 975P.O.A.
1000+P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Brand

onsemi

Тип транзистора

PNP

Максимальный непрерывный ток коллектора

1,2 А

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

30 В

Максимальное напряжение эмиттер-база

10 В

Тип корпуса

SOT-23

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Число контактов

3

Конфигурация транзистора

Одинарный

Количество элементов на ИС

1

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

4000

Максимальное напряжение насыщения база-эмиттер

1,5 В

Максимальное напряжение коллектор-база

40 В

Максимальное напряжение насыщения коллектор-эмиттер

1 В

Максимальный запирающий ток коллектора

0.0001mA

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Длина

2.92мм

Минимальная рабочая температура

-55 °C

Высота

0.93мм

Ширина

1.3мм

Размеры

2.92 x 1.3 x 0.93мм

Информация о товаре

Darlington PNP Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Transistors, Fairchild Semiconductor

Bipolar Junction Transistors (BJT) broad range provides complete solutions for various circuit application needs. Innovative packages are designed for minimal size, highest reliability and maximum thermal performance.