Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
35 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.63мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
10
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Производственная упаковка (Катушка )
10
Информация о наличии не успела загрузиться
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
1 A
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
80 В
Тип корпуса
SOT-223
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
1,5 Вт
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
100 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
35 МГц
Число контактов
3 + Tab
Количество элементов на ИС
1
Размеры
6.5 x 3.5 x 1.63мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Информация о товаре
General Purpose NPN Transistors, up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
