Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
265 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
P.O.A.
8000
P.O.A.
8000
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-723
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
265 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
220
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
-80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
-5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
1.25 x 0.85 x 0.55мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
Информация о товаре
General Purpose PNP Transistors, Up to 1A, ON Semiconductor
Standards
Manufacturer Part Nos with S or NSV prefix are automotive qualified to AEC-Q101 standard.