Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
250
P.O.A.
Each (Supplied on a Reel) (ex VAT)
Производственная упаковка (Катушка )
250
Информация о наличии не успела загрузиться
Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
30 В
Тип корпуса
SOT-23
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
300 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
420
Конфигурация транзистора
Одинарный
Максимальное напряжение коллектор-база
30 В пост. тока
Максимальное напряжение эмиттер-база
5 В
Максимальная рабочая частота
100 МГц
Число контактов
3
Количество элементов на ИС
1
Размеры
3.04 x 1.4 x 1.01мм
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Страна происхождения
China