onsemi BC847BPDW1T2G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363

Код товара RS: 184-4732Бренд: onsemiПарт-номер производителя: BC847BPDW1T2G
brand-logo
View all in Биполярные плоскостные транзисторы и биполярные транзисторы

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

2

Тип транзистора

NPN + PNP

Число контактов

6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Тип корпуса

SOT-363

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Батареи

3 x AAA Battery

Страна происхождения

China

Информация о наличии не успела загрузиться

Пожалуйста, перезагрузите страницу (ctrl+F5)

Информация о наличии не успела загрузиться

P.O.A.

onsemi BC847BPDW1T2G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

P.O.A.

onsemi BC847BPDW1T2G Dual NPN/PNP Transistor, 200 mA, 45 V, 6-Pin SOT-363
Информация о наличии не успела загрузиться
Select packaging type

Стандартная упаковка

Select packaging type

Стандартная упаковка - each

Доступно в кратности 100.

Производственная упаковка -

Доступно в кратности 100.

Рекомендуется для заказа в больших количествах. Изделия упакованы и готовы к установке в оборудование, что позволяет повысить эффективность производства.

100

Доступно в кратности 100
100P.O.A.
200P.O.A.
300P.O.A.
400P.O.A.
500P.O.A.
600P.O.A.
700P.O.A.
800P.O.A.
900P.O.A.
1000P.O.A.
1100P.O.A.
1200P.O.A.
1300P.O.A.
1400P.O.A.
1500P.O.A.

Техническая документация

Характеристики

Количество элементов на ИС

2

Тип транзистора

NPN + PNP

Число контактов

6

Тип монтажа

Поверхностный монтаж

Максимальное напряжение эмиттер-база

6 В

Минимальный коэффициент усиления по постоянному току

200

Максимальная рабочая температура

+150 °C

Максимальное напряжение коллектор-база

50 В

Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)

45 В

Максимальная рабочая частота

100 МГц

Максимальный пост. ток коллектора

200 мА

Тип корпуса

SOT-363

Максимальное рассеяние мощности

380 мВт

Размеры

2.2 x 1.35 x 1мм

Батареи

3 x AAA Battery

Страна происхождения

China