onsemi BC846BPDW1G Dual NPN + PNP Transistor, 100 mA, 65 V, 6-Pin SOT-363
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.0 x 1.25 x 0.95мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device
тг 2 682,00
тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Стандартная упаковка
50
тг 2 682,00
тг 53,64 Each (In a Pack of 50) (ex VAT)
Информация о наличии не успела загрузиться
Стандартная упаковка
50
Информация о наличии не успела загрузиться
| Количество | Цена единицы | Per Упаковка |
|---|---|---|
| 50 - 50 | тг 53,64 | тг 2 682,00 |
| 100 - 200 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
| 250 - 450 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
| 500 - 950 | тг 22,35 | тг 1 117,50 |
| 1000+ | тг 13,41 | тг 670,50 |
Техническая документация
Характеристики
Brand
onsemiТип транзистора
NPN + PNP
Максимальный пост. ток коллектора
100 мА
Максимальное напряжение К-Э (коллектор-эмиттер)
65 В
Тип корпуса
SOT-363 (SC-88)
Тип монтажа
Поверхностный монтаж
Максимальное рассеяние мощности
380 мВт
Минимальный коэффициент усиления по постоянному току
200
Конфигурация транзистора
Изолированный
Максимальное напряжение коллектор-база
80 В
Максимальное напряжение эмиттер-база
6 В
Число контактов
6
Количество элементов на ИС
2
Максимальная рабочая температура
+150 °C
Размеры
2.0 x 1.25 x 0.95мм
Информация о товаре
Dual NPN/PNP Transistors, ON Semiconductor
Dual transistor packages each containing an NPN and a PNP device